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GeSbTe 与AgInSbTe体系相变光盘的研究进展

    摘要
  • 摘要: 自Ovshinsky把相变材料用于光存储以来，一大批具有可逆光存储性能的材料不断出现，其中研究较多的是GeSbTe 和AgInSbTe两种体系.文章着重介绍了利用这两种材料制成的相变光盘记录介质的微观结构特点，阐述了其晶化机理；同时，较详细地概述了光盘的堆栈结构及掺杂其他元素对相变光盘性能的影响，并对比说明了GeSbTe 和AgInSbTe两种体系在蓝光记录方面的各自特点.

     

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