摘要: 文章回顾了a-Si∶H薄膜的发展历程，并介绍了其近10年的研究状况.为提高a-Si∶H薄膜的沉积速度，还重点介绍了一种新的微波电子回旋共振等离子体CVD(MWECR-CVD)技术.该技术的特点是：不含电极，可避免电极溅射造成的污染；等离子区离子密度高，对硅烷能高度分解，从而可显著提高薄膜生长速率；改变磁场位形和结构，可改变等离子体分布及轰击基片离子的能量.文章还分析了其制备a-Si∶H薄膜存在的问题，提出了今后的研究方向.