摘要: 硅在微电子学领域有着极其广泛的应用，但它是一种间接能隙半导体，发光器件领域是它的缺项，利用在硅中掺入发光中心─—铒，已经研制出一种新的发光二极管（Ｓｉ：ＥｒＬＥＤ），它的发光波长是１．５３μｍ，恰好满足石英光纤通信的要求。进一步提高输出功率后，Ｓｉ：ＥｒＬＲＤ将可用作光纤通信用的单片光电子集成电路的光源部件。介绍了Ｓｉ：Ｅｒ发光研究的现状，讨论它的发光机制及制约输出动率的因素，探讨提高ＬＥＤ性能的途径。