摘要: Ｈ—ＶＩ族化合物ＨｇＴｅ与ＣｄＴｅ能无限无溶，形成赝二元系合金Ｈｇｌ－ｘＣｄｘＴｅ（以后简称ＨｇＣｄＴｅ）晶体材料．组分ｘ可以从零到１．材料的物理性质随组分ｘ的变化可连续地从半金属改变到半导体．利用ＨｇＣｄＴｅ材料制作的红外探测器，有很宽的波长覆盖，它的特点是：介电常数小、光吸收系数大、电子－空穴迁移率比高等．这种晶体是目前最有发展前途的一种红外探测器材料［１］．一、ＨｇＣｄＴｅ晶体研究的崛?...