摘要: 分子束外延（ＭＢＥ），金属有机化学气相淀积（ＭＯ－ＣＶＤ），金属有机分子束外延（ＭＯ－ＭＢＥ）以及原子层和分子层外延（ＡＬＥ和ＭＬＥ）等超薄层外延技术，是随着集成电路向高密度集成，高工作速度和超小型化方向发展而形成的一种薄膜制备工艺，并在微电子学、低维物理和材料科学等领域中有着重要的应用．利用这种技术，可以制备各类超高速器件，光电器件及其集成电路．由这种工艺制备的优质超晶格结构为人们更加深入地从理论和实验上揭示二维电子体系的物理性质带来了极大便利，而且一维超晶格的实现也将有赖于超薄层外延生长技术．可以预期