摘要: １９７０年，ＬｅｏＥｓａｋｉ和ＲａｙＴｓｕ首先提出了超晶格的概念［１］．他们从量子力学的基本理论推论出超晶格具有电子传输和光学性质的可剪裁性，并指出了可能实现的制备超晶格的方法，即把两种不同的半导体材料交替地生长在一起，形成一种超薄多层结构（组分超晶格）．随着分子束外延（ＭＢＥ）技术的完善和发展，三年后Ｌ．Ｌ．Ｃｈａｎｇ等人用ＭＢＥ方法首先成功地实现了Ｇａ＿（１－ｘ）ＡＩｘＡｓ／ＧａＡｓ组分?...