摘要: 载流子寿命τ是半导体材料的重要参数之一，它对器件性能有较大影响．就核辐射探测器来说，τ决定了反向漏电流，进而在很大程度上影响其噪声的大小．优良探测器要求原始单晶的寿命τ为五百到数千微秒．大量实践证明，用寿命高而且断面分布均匀的材料制成的探测器，性能优良，成品率和优品率都高．文献［３—６］阐述了有效寿命τｅｆ，并提出通过测量电荷收集效率η可以推算出τｅｆ值，认为有效寿命仅仅取决于俘获效应，只要?...