摘要: 等离子体刻蚀（ＰＥ）具有成本低、清洁、线条分辨率高以及容易实现工艺自动化等优点．近几年来，随着低温等离子体淀积氮化硅半导体器件表面钝化技术的普及推广，等离子体刻蚀工艺得到了广泛的应用．我们从１９８１年起在大批量器件生产中应用了等离子体氮化硅刻蚀工艺。几年来由于被加工的器件种类不断增加，ＰＥ工艺本身存在的一些问题陆续暴露了出来．为解决这些问题，我们做了一些工作．一、小电流放大系数（ｈＦＥ）的下?...