摘要: １９８２年以前，人们对半导体光学非线性的研究都局限于体材料．激子的非线性效应大都局限于低温．１９８２年以来，由于半导体材料生长技术，特别是分子束外延技术的发展，开始对多量子阱结构（也叫超晶格结构）材料的光学非线性及非线性效应进行研究．研究结果表明，体材料的激子只在低温下才存在（对带宽不太宽的材料），而多量子阱结构的激子在室温下仍然存在．半导体中的很多非线性效应是由于激子的饱和吸收引起折射系数?...