摘要: 随着分子束外延（ＭＢＥ）和金属有机化合物气相沉积（ＭＯＣＶＤ）超薄层外延生长技术的发展，半导体超晶格和量子阱结构的研究工作已引起人们极大的兴趣［１－３］．这个研究领域之所以倍受重视，除了因为有明显的技术应用前景之外，还因为在物理上它提供了一个极好的、能在实验上观察量子尺寸效应的理想模型．所谓半导体超晶格、量子阶结构，通常是指两种不同（组分不同或掺杂不同）的半导体单晶薄膜周期性地交替叠合在一起?...