摘要: 包括大规模集成电路在内的现代半导体器件，绝大部分是用硅平面工艺制造的．在抛光的硅片上进行热氧化、光刻窗口、热扩散、蒸金属膜等操作之后，器件的芯片就制成了．平面工艺少不了硅表面的一层ＳｉＯ２膜，该膜不仅在器件制造过程中作为杂质选择扩散的掩膜，在器件制成后也作为金属布线的支撑物和绝缘物，因此这些器件都包含Ｓｉ-ＳｉＯ３系统．在ＭＯＳ器件中，还有较薄的优质ＳｉＯ２作栅极的介质，它是决定该类器件功能的....