摘要: 目前世界上硅单晶材料中，９０％是用直拉（ＣＺ）方法生长的．在这种方法中，固相的石英坩埚与熔融的硅经历下列反应：Ｓｉ＋ＳｉＯ２→２ＳｉＯ（Ｉ）虽然在一般晶体生长温度（～１４２０℃）下，ＳｉＯ是挥发的，但是仍然会有相当多的氧保留在熔硅里，并通过固液界面进入晶体．通常的ＣＺ硅中含有～１０１８／ｃｍ３的氧（较ＦＺ硅高１－２数量级）．作为硅中的杂质，如果说碳的作用是在晶体生长阶段有助于微缺陷的形成，那?...