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关于用离子束刻蚀作剖面分析时深度值的定标问题
佘觉觉
,
王维明
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一、引言俄歇电子能谱和光电子能谱结合离子束刻蚀逐层检测,可以获得剖面分布曲线.一般说来,这样做的结果只能得到信号-时间(t)的关系.实际应用中需要把这种关系转换为信号与厚度Z的关系.本文以Sio2/Si为例,讨论如何进行转化.二、分析在溅射时间t1后刻蚀的层厚Z为[1]其中S(溅射速率)为式中M为(平均)原子量,ρ为(平均)密度,NA为阿伏伽德罗常数,e为基本电荷,SM为(平均)溅射产额(原?...
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