摘要: 一、引言当前，用分子束外延技术可生长一种新型的掺杂超晶格，它是由掺有ｎ型和ｐ型杂质的超薄层与本征层相间组成的周期性结构，称为“ＮＩＰＩ”晶体（此处的Ｎ与Ｐ分别代表Ｎ型层和Ｐ型层，Ｉ代表本征层）．图１（ａ）给出了ＧａＡｓ掺杂超晶格的示意图．图中的ｄｎ，ｄｐ和ｄｉ分别是ｎ型和ｐ型掺杂层及本征层的厚度．超晶格的周期为ＮＩＰＩ各层厚度之和，即ｄ＝ｄｎ＋ｄｐ＋２ｄｉ，（１）其数值可达几百到几千Ａ．任何?...