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硫系Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2非晶态半导体薄膜的电导特性

  • 摘要: 近年来,我们用硫系非晶态半导体Ge15Te81S2Sb2材料研制的8×8位主读存储器,已在本所自动控制中试用,效果良好.为探讨电性机理,测量了该材料的交、直流电导特性.一、样品制备先将光谱纯的Ge,Te,S,Sb各元素按组份配制成靶,在真空下再将靶料溅射于已制好铝电极的基片上,光刻成直径为20μm、厚1.5μm的薄膜,其上再溅射并光刻上钼电极.二、实验结果及分析Ge15Te81S2Sb2薄膜?...

     

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