摘要: 在半导体器件中，由于硅表面ＳｉＯ２薄膜中钠的沾污，严重地影响着器件的稳定性、可靠性及成品率．对于ＭＯＳ器件，这一影响就更为突出，因此深为人们关注．究竟如何有效地除去氧化膜中的Ｎａ＋，提高器件的可靠性和电学稳定性，这已成为国内外研究的重要课题．已有大量的实验证实，在１１５０℃下的氧化气氛中掺进６％克分子浓度的ＨＣｌ气体，能大大减少氧化膜中可动的离子数１－５］．但机理尚不明确，影响了它的广泛应用....