摘要: 晶体缺陷对晶体的许多性能有重要影响，因此研究单晶缺陷的数量、分布、性质及其与晶体性能的关系，对有目的地改进晶体质量有较大的意义。在观测晶体缺陷的方法中较常用的是扫描透射形貌术［１］，然而反射形貌术装置简单，摄照时间较短，有许多优点。特别是有两种情况需要用到反射形貌术：其一是研究半导体外延层和分光晶体表面层的晶体缺陷。在这些晶体中，表面层起重要作用。由于反射法Ｘ射线穿透深度较小，一般为几微米，?...