摘要: 半导体材料是制造半导体器件的基础，材料的质量直接影响器件的质量和可靠性．器件工艺要求提供超纯无缺陷的晶体．硅单晶中常见的并对器件性能影响较大的缺陷就是位错．因而硅单晶的拉制中很根本的一条，就是要求无位错．拉制无位错或低位错［１１１］硅单晶，现时普遍采用达什（Ｗ．Ｃ．Ｄａｓｈ）早年阐明的正［１１１］晶向籽晶缩颈技术［１］．我们研究和应用了向特定方向偏离一定角度的［１１１］定向偏角籽晶，配合适宜?...