摘要: 一、前言最近，Ⅲ－Ⅴ族化合物作为光电发射体引起人们的重视．早在１９６５年，舍尔（Ｊ．Ｊ．Ｓｃｈｅｅｒ）和拉尔（ＪＶａｎ．Ｌａａｒ）［１］发表了一种ＧａＡｓ－Ｃｓ新型光电发射材料，在超高真空下劈裂一块ｐ型重掺ＣａＡｓ单晶并进行艳化处理，其灵敏度达到５００微安／流明．在詹姆士（Ｌ，Ｗ．Ｊａｍｅｓ）［２］等人的实验中，另加了氧铯层，结果比单独用铯所得的效率高．上述实验证明Ｐ型ＧａＡｓ－Ｃｓ和ＧａＡ?...