摘要: 一、引言研究注入式半导体激光器的光谱，可以深入了解ｐ－ｎ结中受激发光的特征，有利于改进器件性能，所以引起人们很大的重视［１，２］．脉冲器件的光谱，将随注入电流的强度、发热以及环境温度而改变．使用寻常摄谱方法，其结果只是不断变化着的光谱的迭加，许多现象会被掩盖．为深入了解每一脉冲持续期内光谱的变化规律，必须记录时间分辨光谱．将被测脉冲光束在摄谱仪入射狭缝上作同步扫描，可以拍摄时间分辨光谱，而采?...