摘要: 忆阻器是一种由两个端子和一个导电通道组成的电子元件，其电阻可以通过施加的电压或电流操作进行调节。因此，该器件是一种具有“记忆”能力的电阻，并可应用于存储和类脑计算等领域。华裔科学家蔡少棠在1971 年首先提出了忆阻器的概念。他指出除了电阻器、电感器和电容器之外，还应该存在第四种基本电路元件，即忆阻器。2008 年，惠普实验室首次从实验上建立了忆阻器的概念与固态电子器件的联系，证实了蔡少棠的观点。随后，研究者们在一些其他类型的两端存储器(包括相变存储器和浮栅型存储器等)中观察到了忆阻现象。在存储器领域，这类器件拥有超快的开关速度、超高的擦写次数、较低的功耗以及高开关比等性能优势，是下一代存储元件的重要候选者之一。除此之外，由于忆阻器的工作模式与生物体中的神经元突触类似，并能够以交叉点的结构形成阵列，从而实现超高的集成密度，在大规模并行的神经形态计算领域中也有着重要的应用前景。