摘要: 日前，偶然想起一篇15 年前写的综述文章，题目是“Recent experimental studies of electron dephasing in metal and semiconductor mesoscopic structures” (Journal of Physics:Condensed Matter (JPCM)，2002年第14 卷第R501 页)。这篇文章中讨论到的几种电子相位相干机制，近年来被一些研究石墨烯、纳米结构和拓扑绝缘体等新颖人工材料中低温输运性质的文章所引用。“电子相位相干时间”似乎还未有一个较为固定的中文翻译，它的英文称呼也随着时间演变。1980 年代初期，弱局域(weak localization)以及反弱局域(weak-antilocalization)现象被发现之后，低温凝聚态物理学家最先使用“electron (inelastic) scattering time”或“electron phase-breaking time”一词，随后有人使用“phase-coherence time”一词，接着有人短暂使用过“electrondecoherence time”一词，最近则大多数的文章中都采用“electron dephasing time”一词。其实“electron phase-breaking time”的叫法是有意义的，因为这里要讲的是一个导体(金属、掺杂半导体或处于正常态的超导体)中导电电子波函数的相位，在低温时会与何种低能量的元激发(elementary excitations 或low-energyexcitations) 进行随机的非弹性碰撞，从而被突然搅乱，也就是电子相位的记忆时间瞬间被洗刷掉，重新归零了。